源达信息:雄安新区专题研究 重点布局半导体产业发展,助力国内高新技术产业向前

2024-10-11 18:34:12 新闻 adminkey

  雄安新区毗邻京津冀,承载疏解北京非首都功能,不断承接北京优质企业资源,肩负推动京津冀协同发展,打造中国经济新增长极的历史使命。政策优势明显,区位优势突出,产业基础设施完善,利于系统布局前沿产业,打造能够协调带动全国经济发展的新的增长极。雄安新区将新一代信息技术作为重点布局产业,并大力发展半导体产业,目前已正式投产首条信创产品数字化产线,设立未来芯片创新研究院并正式签约SPU芯片研发及产业化项目。

  2024年半导体行业逐步进入周期上行阶段,2024年行业有望迎来更快增长。根据SEMI预测,2024/2025年全球半导体设备行业市场规模为983/1128亿美元,同比+3%/+15%。从产业链全球分布看,我国在半导体设备、材料和EDA&IP等上游供应端和中游IC设计端份额较小,存在“卡脖子”风险。在晶圆制造和封装测试端已形成一定规模,并持续发展。自2022年美国发布BIS条例以来,美日荷联合制裁国内半导体制造业,自主可控需求愈发迫切,补短板意识显著增加。

  我国在半导体行业起步较晚,设备、材料和EDA&IP等上游供应链环节长期依赖欧美日进口。国产替代存在技术难度大、供应链切入难的问题。近年来国产设备、材料和EDA&IP等环节在技术端已取得较大突破,并以设备进展最为显著。而美日荷联合制裁下,国内晶圆厂国产化意识增强,采购国产设备、材料等的意愿上升。未来上述环节将充分受益国产替代。

  雄安新区重点布局高端产业,不断疏解央企总部、子公司及分支机构落户雄安,引进高技术企业、一流实验室等,预期将对高新产业起到系统推动作用,促进相关产业链逐渐完善。建议关注半导体产业投资机会。雄安新区建设推动京津冀一体化趋势深化,协同京津冀打造产业集群,建议关注雄安新区建设带来的区域性投资机会。

  半导体行业复苏不及预期的风险,国内晶圆厂扩产不及预期的风险,国产替代不及预期的风险,国际贸易摩擦和冲突加剧的风险。

  一、疏解北京非首都功能,打造中国经济增长极

  雄安新区毗邻京津冀,承载疏解北京经济功能,不断承接北京优质企业资源,肩负推动京津冀协同发展,打造中国经济新增长极的历史使命。政策优势明显,区位优势突出,产业基础设施完善,利于系统布局前沿产业,打造能够协调带动全国经济发展的新的增长极。

  1、重点布局五大高新产业,发展新质生产力

  《河北雄安新区规划纲要》指出,雄安新区将高起点布局包括新一代信息技术产业、现代生命科学和生物技术产业、新材料产业、高端现代服务业、绿色生态农业等五大高端产业。积极推进军民深度融合发展,加快传统产业改造升级,建设实体经济、科技创新、现代金融、人力资源协同发展的现代产业体系。

  图1:雄安新区产业布局

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  资料来源:Wind,源达信息证券研究所

  雄安新区致力于发展以人工智能、集成电路为代表的新一代信息技术产业。在软件与信息服务业发展硬环境方面,雄安已适度超前部署新一代网络设施,构建了边云超协同的城市计算体系,能够为大数据、云计算、工业互联网等数字产业提供良好的发展基础,雄安新区将依托于数字城市建设重点发展数字经济与数字产业。中国数字经济市场规模快速增长,从2017年的27万亿元一路增长至2023年的55亿元,年复合增速高达12.5%,且中国数字经济增长速度自2016年来一直保持高于GDP增速,2023年数字经济增速超过GDP增速9.1个百分点。

图2:中国数字经济规模(万亿元)

图3:数字经济增速(%)和GDP增速(%)

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资料来源:中国信通院,源达信息证券研究所

资料来源:中国信通院,源达信息证券研究所

  雄安新区部署以增材制造、储能材料、半导体材料为主发展新材料产业,有望助力半导体材料自主可控。新材料产业广泛应用于下游电子信息、新能源、医疗器械、纺织机械、航空航天等领域。雄安新区毗邻京津冀,化工、钢铁、建材产业发达,交通便利,靠近原料产地,并且生物制药、航空航天、新能源等产业也在京津冀地区密集布局,靠近消费市场,预期能够实现良好的产业协同,利于新材料产业在雄安新区的未来发展,并有望发展半导体材料产业,助力国内半导体产业供应链的自主可控,并受益行业周期上行趋势。

  图4:新材料产业链

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  资料来源:Wind,源达信息证券研究所

  雄安新区高新技术开发区正式成立,并着力构建“一核两翼三支撑”的空间格局,支撑保障高新技术产业发展。高新技术开发区以核心区南北为两翼,布局空天园、信息园、生物技术园、新材料园、未来科技园等五大产业园区,围绕卫星互联网、北斗等七个创新生态链发展新一代信息技术产业,其中新材料园将重点以半导体材料、增材制造等为主发展新材料产业。

图5:雄安新区成立高新技术产业开发区

图6:专注RISC-V产业发展的未来芯片创新研究院正式成立

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资料来源:中工网,源达信息证券研究所

资料来源:人民网,源达信息证券研究所

  二、半导体产业迎来复苏,自主可控迫在眉睫

  全球半导体行业销售收入在2024年迎来回升。根据SIA数据,2022年全球半导体行业销售收入为5740亿美元,实现同比增长3.20%。而根据SIA转引的WSTS预测,2023年全球半导体行业销售收入为5150亿美元,同比下降10.0%,系消费电子需求疲软,芯片厂商库存过剩。2024年在行业清库存和AI数据中心、汽车电子等行业需求拉动的共同作用下,销售收入有望回升。从2022年下游半导体器件销售收入看,逻辑、存储和模拟芯片是前三大产品,合计市场份额达69%。雄安新区大力部署半导体产业,有望受益行业周期上升红利。

图7:2022年全球半导体器件分类型销售收入(亿美元)

图8:全球半导体行业销售收入(亿美元)

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资料来源:SIA,WSTS,源达信息证券研究所

资料来源:SIA、WSTS,源达信息证券研究所

  半导体行业上下游联系紧密,各环节缺一不可。半导体行业产业链上游包括EDA软件、IP委托和委外设计服务、制造设备和材料;中游包括集成电路设计、晶圆制造和封装测试;下游为终端系统厂商,主要应用行业包括移动通信、数据中心、汽车电子、计算机和工业应用等。

  图9:半导体行业产业链

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  资料来源:芯原公司招股说明书,源达信息证券研究所

  半导体器件按照国际通用产品标准可分为四类:集成电路、分立器件、传感器和光电器件。集成电路按照处理信号可分为数字芯片和模拟芯片,其中数字芯片按照使用功能分为存储芯片、逻辑芯片和微控制器MCU。分立器件主要为功率器件,包括IGBT、MOSFET、二极管和晶闸管等产品。

  图10:半导体器件分类

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  资料来源:光耦网,源达信息证券研究所

  半导体产业链中游企业按经营模式可分为垂直整合模式(IDM)、晶圆代工模式(Foundry)和无晶圆厂模式(Fabless)。早期行业以IDM模式为主,目前根据芯片特点,行业经营模式出现分化:

  表1:半导体产业链中游企业不同经营模式

类型

模式

垂直整合模式(IDM)

涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试以及后续的产品销售等环节

晶圆代工模式(foundry)

不涵盖芯片设计环节,专门负责晶圆制造,为芯片产品公司提供晶圆代工服务

无晶圆厂模型(fabless)

不涵盖晶圆制造环节和封装测试环节,专门负责芯片设计和后续的产品销售,将晶圆制造和封装测试外包给专业的晶圆制造、封测企业

  资料来源:华虹公司招股说明书,源达信息证券研究所

  国内半导体产业链自给率低。从全球半导体产业链区域占比看,美国、欧洲等国家区域具有多数份额,国内仅在产业链中游的晶圆制造和封装测试占有一定比例。但在上游EDA&IP、设备、高端制造材料等供应链环节仍无法满足自给,存在“受制于人”情况。

  美日荷联合发布对华出口管制条例,设备和芯片端制裁力度最大。自2022年10月7日美国商务部公布BIS条例以来,美日荷相继发布对华出口管制措施,主要限制范围在于国内薄弱的先进制程芯片和相关制造设备。上游设备、制造材料和EDA&IP等存在“卡脖子”风险的领域是芯片制造的基础,国内仍要依靠美日荷进口。当前国际环境下上述领域已成为供应链高风险环节,国产替代愈发迫切。

  雄安新区高新技术产业区构建“一核两翼三支撑”的空间格局,并设立有新材料园,以增材制造、储能材料、半导体材料为主发展新材料产业,有望助力半导体材料自主可控。

  表2:美日荷联合对华出口管制,以设备和芯片端力度最大

日期

事件

2022/10/7

美国商务部将31家中国公司加入“未经核实的名单”,对中国14nm及以下logic、128层及以上NAND Flash、18nm及以下DRAM芯片、制造设备和零部件出口管制

2022/12/15

美国商务部决定将长存、寒武纪、ICRD、上海微电子和鹏芯微等36家中国实体加入实体清单

2023/1/27

美日荷就对中国先进设备出口限制达成协议,限制内容与10月7日BIS新规一致

2023/3/8

ASML在官网发布《关于额外出口管制的声明》,将光刻机限制范围设定在2000i及之后的高端浸没式机型

2023/3/31

日本政府宣布将23类先进制程半导体设备新增为出口管控对象,限制7月生效

2023/6/30

荷兰发布出口管制新规,限制ASML的TWINSCAN NXT:2000i及之后的浸没式光刻机对华出口,管制在9月1日正式生效

2023/7/23

日本政府宣布对23个品类先进制程半导体设备的出口管制措施正式生效

  资料来源:半导体行业观察,电子创新网,电子发烧友网,虎嗅,中国工业网,源达信息证券研究所

  三、上游供应链:国产薄弱环节,“卡脖子”风险大

  1.半导体设备

  2025年全球半导体设备销售额有望加速增长。根据SEMI在2024年7月发布的《年中总半导体设备预测报告》:2024年全球晶圆厂设备支出将由2023年的956亿美元增长至983亿美元,同比增长3%,主要系行业逐步好转,进入周期上行阶段。展望2025年,人工智能等行业对高性能芯片需求进一步增长,叠加汽车、消费电子和工业等行业的需求复苏,全球晶圆厂设备支出有望增长至1128亿美元,实现同比增长15%。

  图11:2024年全球晶圆厂设备支出预计至983亿美元

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  资料来源:SEMI,源达信息证券研究所

  半导体设备是高技术门槛&高附加值行业。前道晶圆加工的主要工序包括光刻、刻蚀和薄膜沉积等,其特点是对晶圆加工精度要求极高,通常在几十至几百纳米;并且部分工序需要多次进行,对设备产能效率要求高。上述原因也导致用于前道晶圆加工的半导体设备价格高昂,一条产能1万片/月的12英寸晶圆产线设备投资额在数十亿元。

  图12:半导体前道晶圆制程对应的主要工序

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  资料来源:芯源微招股说明书,源达信息证券研究所

  根据中微公司2022年业绩说明会,薄膜沉积设备、刻蚀机和光刻机约占半导体设备价值量的22%、22%和17%。根据摩尔定律:芯片中的晶体管数目,约每两年增加一倍。未来在晶圆制造向更先进制程节点转变趋势下,对设备的投资额将会大幅增加。同时逻辑芯片制程中两重模板、四重模板等工艺需求增加,存储芯片向三维结构转变都会显著增加对薄膜沉积、刻蚀等工序的需求。未来薄膜沉积、刻蚀价值占比或将进一步提升。

图13:2022年全球半导体设备各类型价值占比

图14:每5万片晶圆产能对应设备投资额(亿美元)

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资料来源:SEMI,中微公司,源达信息证券研究所

资料来源:中芯国际招股说明书,源达信息证券研究所

图15:二重模板/四重模板增加多道薄膜沉积、刻蚀工序

图16:三维存储芯片增加多道薄膜沉积、刻蚀工序

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资料来源:中微公司,源达信息证券研究所

资料来源:拓荆科技招股说明书,源达信息证券研究所

  全球半导体设备市场被美日荷垄断。半导体设备行业是高壁垒行业,AMAT(应用材料)、ASML、LAM(泛林半导体)、TEL(东京电子)、KLA(科磊半导体)等公司起步较早,在技术和工艺上积累深厚,占据了全球主要市场份额。近年来北方华创、中微公司和盛美上海等国产厂商在热处理、薄膜沉积、刻蚀和清洗等领域已取得较大突破,客户端进展顺利。而涂胶显影和过程控制设备属于国产设备薄弱环节,在目前国际形势下“补短板”需求迫切。根据芯源微公告,公司已在2022年底发布可用于28nm节点的第三代浸没式机型,有望迎来“0-1突破”后的放量阶段。目前光刻机国产化率几乎为零,上海微电子是目前最有望打破光刻机进口垄断的国产公司,目前公司官网已推出光刻精度在90nm的ArF光刻机,并正在开展28nm浸没式光刻机的研发工作。

  表3:从整体看半导体设备国产化率仍处于较低水平

设备种类

国外主要厂商

国产主要厂商

国产化率

PVD

应用材料(美国)

北方华创

>20%

CVD

应用材料(美国)、泛林半导体(美国)、TEL(日本)

北方华创、拓荆科技

ALD

TEL(日本)、应用材料(美国)

北方华创、拓荆科技、微导纳米

刻蚀

泛林半导体(美国)、TEL(日本)、应用材料(美国)

中微公司、北方华创、屹唐半导体

>20%

光刻

ASML(丹麦)、尼康(日本)、佳能(日本)

上海微电子

<1%

涂胶显影

TEL(日本)、DNS(日本)

芯源微

>20%

清洗

DNS(日本)、TEL(日本)、泛林半导体(美国)

盛美上海、北方华创、至纯科技、芯源微

>50%

CMP

应用材料(美国)、TYK(日本)

华海清科

>30%

离子注入

应用材料(美国)、Axcell(美国)

万业企业(凯世通)

<10%

过程控制

科磊半导体(美国)、陆得斯科技(美国)、日立(日本)

精测电子、中科飞测、上海睿励

<5%

热处理

KE(日本)、TEL(日本)

北方华创、屹唐半导体

>30%

  资料来源:Gartner,半导体行业纵横,源达信息证券研究所

  2.半导体材料

  根据SEMI公布数据,2023年全球半导体材料市场下滑至667亿美元。其中晶圆制造材料和封装材料市场分别为415亿美元和252亿美元,分别同比下滑7.0%和10.1%。半导体材料市场景气度与制造端稼动率密切相关,2023年受需求疲软和芯片库存过剩影响,晶圆厂和封测厂产能利用率有所下降。看好2024年行业周期反弹后对半导体材料的需求拉升。

  图17:半导体材料中晶圆制造材料市场空间较封装材料更大

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  资料来源:SEMI,源达信息证券研究所

  材料特点是多而杂,需要逐一突破。硅材料、工艺化学品、光掩膜是晶圆制造材料前三大品类,市场份额分别约占33%、14%和12.9%。其中CMP抛光材料、光刻胶和电子气体等是国产薄弱环节,具有对应不同工艺的多个细分品类,造成国产突破难度大,需要长时间的积累和逐一攻克。封装材料市场中,主要材料有封装基板、引线框架、键合导线和密封胶等。

图18:硅/工艺化学品/光掩膜是晶圆制造材料前三大品类

图19:封装基板占封装材料市场份额超一半

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资料来源:SEMI,源达信息证券研究所

资料来源:SEMI,源达信息证券研究所

  我们整理了硅材料、特气、光刻胶和CMP抛光材料等晶圆制造材料领域的国内外主要企业,整体来看晶圆制造材料市场中美日企业占垄断地位,国产份额仍处于较低水平,且材料细分品类较多、突破难度较大。未来的材料国产突破会是一场长时间的攻坚战,需要晶圆厂与上游材料厂商的密切合作与反馈试错。雄安新区高新技术产业区构建“一核两翼三支撑”的空间格局,并设立有新材料园,以增材制造、储能材料、半导体材料为主发展新材料产业,有望助力半导体材料自主可控。

  表4:晶圆制造材料部分细分环节的国内外玩家

产品类别

国外企业

国内企业

硅材料

沪硅产业、中环股份

信越化学、SUMCO

工艺化学品

江化微、格林达

霍尼韦尔、住友化学

光掩模

清溢光电、路维光电

晶圆厂自产、Toppan

光刻胶

华懋科技、彤程新材

JSR、TOK

CMP抛光材料

鼎龙股份、安集科技

DOW、Cabot

电子气体

华特气体

空气化工、林德集团

溅射靶材

江丰电子

日矿金属、霍尼韦尔

  资料来源:各公司公告,源达信息证券研究所

  3.EDA&IP

  EDA工具是“芯片之母”,是连接设计和制造两个环节的纽带和桥梁。百亿级美元的EDA市场支撑了千亿级美元的半导体市场发展。EDA工具主要分为三类,可用于晶圆厂工艺平台开发(开发IP模块)、fabless厂电路设计和晶圆厂制造测试环节。

  图20:EDA工具主要用于工艺平台开发、电路设计和制造环节三个阶段

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  资料来源:概伦电子招股说明书,源达信息证券研究所

  EDA工具根据模拟电路和数字电路的不同特点,分为用于模拟电路设计的EDA工具和用于数字电路设计的EDA工具。以模拟电路为例,电路设计流程包括原理图编辑、电路仿真、版图编辑、物理验证、寄生参数提取、可靠性分析等环节。而数字电路设计流程包括前端功能设计、前端验证、逻辑综合、时序分析、布局布线、版图验证和后端仿真等环节。

  图21:EDA工具在模拟电路全流程设计中的应用

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  资料来源:华大九天招股说明书,源达信息证券研究所

  国内EDA工具市场规模在百亿级。根据SEMI数据和ESDA的预测,预计2023年全球EDA工具市场规模约为85亿美元,2024年市场规模稳步增长至87亿美元。根据中国半导体行业协会数据,2022年中国EDA/IP工具市场规模约为115亿元,约占全球市场的19%。目前国内半导体产业中晶圆制造占大头,未来伴随产业链进一步完善,IC设计企业的增加将带动EDA工具市场成长。

图22:预计2024年全球EDA工具市场达87亿美元

图23:2022年中国EDA工具市场规模为115亿元

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资料来源:SEMI,ESDA,源达信息证券研究所

资料来源:中国半导体行业协会,源达信息证券研究所

  从EDA工具竞争格局看,市场被欧美企业占据。Synopsys、Cadence和Siemens EDA是全球三强,合计占2022年全球份额的74%。其中以Synopsys、Cadence的产品体系最为健全,而Siemens EDA在部分环节较为优秀。同时EDA工具中通常内嵌IP模块,方便IC设计企业使用,二者构成更坚固壁垒。而从中国市场看,华大九天、概伦电子和广立微只占到2022年中国市场11%的份额。其中华大九天在模拟电路设计领域实现全流程覆盖,数字电路设计领域部分覆盖;概伦电子在工艺平台开发类EDA运用较多,并往电路设计类EDA拓展;广立微主要覆盖制造测试类EDA产品。

图24:2022年全球EDA市场中国产份额不足2%

图25:2022年中国EDA市场中国产份额不足20%

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资料来源:集微咨询,源达信息证券研究所

资料来源:集微咨询,源达信息证券研究所

  如果把集成电路设计比作搭积木,IP则是其中的积木块。半导体IP授权业务是将集成电路设计中可重复使用且具备特定功能的IP模块授权给客户使用,并提供相应的配套软件。在芯片向先进制程节点演进过程中,芯片单位面积内晶体管数量大幅上升,增加IC设计复杂度,为提升IC设计效率、降低成本,会使用更多的IP种类。以28nm芯片为例,会使用到50个数字IP和37个数模混合IP。根据IP Nest数据,2022年全球IP市场规模为66.8亿美元,其中应用于处理器的IP占比约为50%。

  图26:芯片向先进制程工艺演进过程中,IP使用数量大幅增加

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  资料来源:芯原股份招股说明书,源达信息证券研究所

  2023年全球IP市场中ARM份额超40%。根据IP Nest数据,2023年全球IP市场TOP3为ARM、Synopsys和Cadence。其中ARM总部位于英国,2016年被日本软银收购,其在中国的最大客户是ARM中国。而Synopsys和Cadence同时也是EDA工具公司。国产公司中芯原股份占2023年全球份额的1.9%。

  图27:2023年全球IP市场中CR3为69%,均为欧美企业

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  资料来源:IP Nest,源达信息证券研究所

  IP种类覆盖度是对IP企业技术能力和未来空间的重要考证因素。从覆盖度看,IP领域TOP3的ARM、Synopsys和Cadence的IP种类已覆盖大多数半导体器件。而芯原公司是国内唯一一家进入全球IP市场TOP10的中国公司,旗下IP种类已能覆盖多数半导体器件类型。

  RISC-V是当今世界三大IP指令集之一,是全新的开源开放特性IP指令集。在国内芯片全产业链自主可控趋势下,RISC-V的开源开放特性有望成为中国芯片产业发展机遇,实现IP领域的自主可控。雄安新区大力发展RISC-V产业。2024年由雄安新区管委会改革发展局发起的雄安新区未来芯片创新研究院正式成立,并负责推进RISC-V产业发展,助力半导体IP产业的国产自主可控。

  表5:晶圆制造材料部分细分环节的国内外玩家

覆盖芯片类型

ARM

Synopsys

Cadence

Imagination

CEVA

芯原

中央处理器

 

 

 

 

数字信号处理器

 

 

图形处理器

 

 

 

图像信号处理器

 

 

 

接口模块

 

 

通用模拟IP

 

 

 

基础库

 

 

嵌入式非挥发性存储器

 

 

 

 

内存编译器

 

 

 

射频IP

 

 

周边IP

 

 

  资料来源:IP Nest,源达信息证券研究所

  四、国内晶圆产能稳步提升,推动半导体设备国产化

  2023年中国晶圆产能稳步增长。2023年中国晶圆产能合计达658.72万片/月,同比增长13.8%。其中12英寸产能占比达56.9%,8英寸和6英寸及以下晶圆产能占比分别为24.4%和18.6%。

图28:2023年中国晶圆产能同比增长13.8%

图29:2023年中国晶圆产能结构

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资料来源:TrendBank,源达信息证券研究所

资料来源:TrendBank,源达信息证券研究所

  晶圆厂产能稳步扩建,半导体产业国产供应链有望受益。根据Semi在2023年Q3的预测,预计2023年全球8寸晶圆厂的产能约为670万片/月,在汽车芯片、工业芯片等行业拉动下,在2026年增长14%至770万片/月的产能。此外Semi在2023年Q1预测2023年全球12英寸晶圆厂产能约为730万片/月,并在2026年增长至960万片/月。半导体材料作为晶圆生产的必备制材,需求有望受益产能扩建。雄安新区高新技术产业区构建“一核两翼三支撑”的空间格局,并设立有新材料园,以增材制造、储能材料、半导体材料为主发展新材料产业,有望助力半导体材料自主可控。

图30:2023年全球8寸晶圆厂产能预计为670万片/月

图31:2023年全球12英寸晶圆厂产能预计为730万片/月

源达信息:雄安新区专题研究 重点布局半导体产业发展,助力国内高新技术产业向前

源达信息:雄安新区专题研究 重点布局半导体产业发展,助力国内高新技术产业向前

资料来源:Semi,源达信息证券研究所

资料来源:Semi,源达信息证券研究所

  中国大陆大力推动成熟制程扩产,利好半导体材料国产化。受美日荷联动对华半导体设备进口制裁影响,中国大陆先进制程扩产受阻。根据TrendForce数据,2021年全球晶圆出货量中成熟制程占比为86%,销售额占76%。成熟制程芯片主要有驱动芯片、CIS/ISP、功率器件等,在显示面板、消费电子、5G、汽车和工业领域应用广泛。国内大力推动成熟制程产能扩产,提高国产芯片比例。根据TrendForce在2023年12月的预测,2023-2027年中国大陆的成熟制程产能占比将由31%增长至39%。成熟制程相对于先进制程工艺制程节点更低,对半导体材料要求中等,国产半导体材料厂商有望抓住机遇,推动自身产品进入供应链。

图32:2023-2027年先进制程产能分布的变化趋势

图33:2023-2027年成熟制程产能分布的变化趋势

源达信息:雄安新区专题研究 重点布局半导体产业发展,助力国内高新技术产业向前

源达信息:雄安新区专题研究 重点布局半导体产业发展,助力国内高新技术产业向前

资料来源:TrendForce,源达信息证券研究所

资料来源:TrendForce,源达信息证券研究所

  成熟制程仍是扩产主流,国产半导体材料厂商切入机会大。对中国大陆成熟制程产线扩建项目梳理,部分项目规划产能合计超40万片/月。中国大陆厂商作为扩产主力,在美国制裁后推动供应链国产化的意识逐步增强,国产半导体材料厂商有望获得更多机会。

  表6:中国大陆部分成熟制程晶圆厂产能扩建项目(产能单位:万片/月)

厂商

产线

规划产能

现有产能

厂房状态

联芯集成

厦门(12英寸)

5

2.5

建成

华虹集团

无锡(12英寸)

8.3

/

在建

积塔半导体

临港二期(12英寸)

5

0

在建

广州粤芯

三期(12英寸)

4

0

在建

青岛芯恩

二期(12英寸)

2

0

在建

士兰微

士兰集科(12英寸)

8

6

建成

士兰集昕(12英寸)

3

0

在建

燕东微

北京(12英寸)

4

0

在建

晶合集成

N2(12英寸)

4

1.5

建成

  资料来源:ittbank、semitrade、各公司公告,源达信息证券研究所

  五、投资建议

  雄安新区重点布局高端产业,不断疏解央企总部、子公司及分支机构落户雄安,引进高技术企业、一流实验室等,预期将对高新产业起到系统推动作用,促进相关产业链逐渐完善。建议关注半导体产业投资机会。雄安新区建设推动京津冀一体化趋势深化,协同京津冀打造产业集群,建议关注雄安新区建设带来的区域性投资机会。

  六、风险提示

  半导体行业复苏不及预期的风险;

  国内晶圆厂扩产不及预期的风险;

  国产替代不及预期的风险;

  国际贸易摩擦和冲突加剧的风险。

  投资评级说明

行业评级

以报告日后的 6 个月内,证券相对于沪深 300 指数的涨跌幅为标准,投资建议的评级标准为:

 

看    好:

行业指数相对于沪深 300 指数表现+10%以上

 

中    性:

行业指数相对于沪深 300 指数表现-10%~+10%以上

 

看    淡:

行业指数相对于沪深 300 指数表现-10%以下

公司评级

以报告日后的 6 个月内,行业指数相对于沪深 300 指数的涨跌幅为标准,投资建议的评级标准为:

 

买    入:

相对于恒生沪深 300 指数表现+20%以上

 

增    持:

相对于沪深 300 指数表现+10%~+20%

 

中    性:

相对于沪深 300 指数表现-10%~+10%之间波动

 

减    持:

相对于沪深 300 指数表现-10%以下

办公地址

[Table_Contact]

石家庄

上海

河北省石家庄市长安区跃进路167号源达办公楼

上海市浦东新区峨山路91弄100号陆家嘴软件园2号楼701室

 

  分析师声明

  作者具有中国证券业协会授予的证券投资咨询执业资格并注册为证券分析师,以勤勉的职业态度,独立、客观地出具本报告。分析逻辑基于作者的职业理解,本报告清晰准确地反映了作者的研究观点。作者所得报酬的任何部分不曾与,不与,也不将与本报告中的具体推荐意见或观点而有直接或间接联系,特此声明。

  重要声明

  河北源达信息技术股份有限公司具有证券投资咨询业务资格,经营证券业务许可证编号:911301001043661976。

  本报告仅限中国大陆地区发行,仅供河北源达信息技术股份有限公司(以下简称:本公司)的客户使用。本公司不会因接收人收到本报告而视其为客户。本报告的信息均来源于公开资料,本公司对这些信息的准确性和完整性不作任何保证,也不保证所包含信息和建议不发生任何变更。本公司已力求报告内容的客观、公正,但文中的观点、结论和建议仅供参考,不包含作者对证券价格涨跌或市场走势的确定性判断。本报告中的信息或所表述的意见均不构成对任何人的投资建议,投资者应当对本报告中的信息和意见进行独立评估。

  本报告仅反映本公司于发布报告当日的判断,在不同时期,本公司可以发出其他与本报告所载信息不一致及有不同结论的报告;本报告所反映研究人员的不同观点、见解及分析方法,并不代表本公司或其他附属机构的立场。同时,本公司对本报告所含信息可在不发出通知的情形下做出修改,投资者应当自行关注相应的更新或修改。

  本公司及作者在自身所知情范围内,与本报告中所评价或推荐的证券不存在法律法规要求披露或采取限制、静默措施的利益冲突。

  本报告版权仅为本公司所有,未经书面许可,任何机构和个人不得以任何形式翻版、复制和发布。如引用须注明出处为源达信息证券研究所,且不得对本报告进行有悖原意的引用、删节和修改。刊载或者转发本证券研究报告或者摘要的,应当注明本报告的发布人和发布日期,提示使用证券研究报告的风险。未经授权刊载或者转发本报告的,本公司将保留向其追究法律责任的权利。

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